La tecnologia non conosce mai soste. Questa è la parte più entusiasmante per chi la segue in modo appassionato, come facciamo anche noi redattori e voi lettori, ma da un altro punto di vista è altrettanto frustrante, dato che non proprio di rado capita di vedere un dispositivo fiammante di fabbrica essere già considerabile vecchio dopo poche settimane. Guardando ai processori lato mobile, quest'anno è stato movimentato: dapprima sono arrivati gli smartphone dotati di Qualcomm Snapdragon 820, poi è stata la volta del ritoccato 821 che sta vedendo in questi ultimi mesi dell'anno sbocco nei nuovi top di gamma. L'azienda ha annunciato oggi il prossimo step, Snapdragon 835.

qualcommsnapdragon835

Com'è avvenuto per il precedente 820, Qualcomm ha annunciato solo alcune delle novità previste, lasciandosi il resto delle caratteristiche per presentazioni successive. Il primo dettaglio importante è il partner produttivo: gli Snapdragon verranno realizzati all'interno delle fabbriche di Samsung dedicate ai microprocessori. L'arma nell'arsenale coreano per convincere Qualcomm a stringere l'accordo è stata il processo produttivo FinFET a 10 nanometri, che miniaturizza sempre più il SoC e permette design più efficienti sia per prestazioni che per autonomia. Rispetto al processo a 14 nm attualmente adoperato, è possibile raggiungere fino al 40% nella riduzione dei consumi, garantendo al contempo un incremento di potenza del 27%. Si tratta però di dati teorici, riferiti generalmente alla produzione e non allo Snapdragon 835 in sé, la cui entità dei miglioramenti rimane da scoprire.

Il secondo dettaglio svelato nella giornata odierna è l'evoluzione 4.0 della tecnologia Quick Charge. Già nota e apprezzata nelle sue versioni correnti, questo metodo di ricarica rapida si sta perfezionando sempre più, arrivando a tempi di ricarica il 20% più veloci e un incremento dell'efficienza pari al 30%. Molto gradita è la possibilità di ottenere anche oltre 5 ore di autonomia collegando lo smartphone alla presa elettrica per soli 5 minuti; estendendo questo valore sino a 15 minuti la ricarica complessiva arriva quasi al 50%. Le funzionalità di gestione energetica INOV sono state aggiornate con l'introduzione del monitoraggio in tempo reale della temperatura raggiunta dai componenti durante la ricarica, regolando così di conseguenza il quantitativo di potenza trasferita dall'alimentatore alla batteria per evitare inconvenienti. A complemento sono presenti pure ulteriori accorgimenti di sicurezza, inclusa la prevenzione di eventuali sovraccarichi. Infine, è stato integrato il supporto alla tecnologia USB Power Delivery, prevista dalle specifiche Type-C; ciò non costringerà più i produttori di dispositivi a scegliere tra le due implementazioni di ricarica rapida, potendo disporre di entrambe. Nondimeno, è un'importante vittoria ottenuta da Google, una delle principali sostenitrici della USB-PD, che ha portato Qualcomm a più miti consigli sotto la nemmeno troppo velata minaccia di un embargo contro Quick Charge e gli OEM che ne facessero uso esclusivo.

Questo è quanto, per ora, riguardo le caratteristiche ufficiali dello Snapdragon 835. Maggiori informazioni tecniche non mancheranno a breve, dato che Qualcomm ha previsto l'arrivo dei primi terminali dotati del nuovo SoC top nel corso del primo semestre 2017, non proprio così in là nel futuro. In tale prospettiva, terremo entrambi gli occhi aperti su ciò che verrà annunciato durante la prossima Mobile World Congress.